8(495)909-90-01
8(964)644-46-00
pro@sio.su
Главная
Системы видеонаблюдения
Охранная сигнализация
Пожарная сигнализация
Система пожаротушения
Система контроля удаленного доступа
Оповещение и эвакуация
Контроль периметра
Система домофонии
Парковочные системы
Проектирование слаботочных сетей
Аварийный
контроль
Раздел: Документация

0 ... 26 27 28 29 30

НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ И ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УПРАВЛЯЮЩЕЙ МИКРОСХЕМЫ TL494

Вывод

Назначение

1

Неинвертирующий вход усилителя ошибки 1

2

Инвертирующий вход усилителя ошибки 1

3

Выходы усилителей ошибки 1 и 2 и неинвертирующий вход компаратора ШИМ

4

Вывод для регулировки минимальной длительности "мертвой зоны"

5

Вывод для подключения частотозадающего конденсатора

6

Вывод для подключения частотозадающего резистора

7

Вывод для подключения к "корпусу"

8

Открытый коллектор первого выходного транзистора

9

Открытый эмиттер первого выходного транзистора

10

Открытый эмиттер второго выходного транзистора

11

Открытый коллектор второго выходного транзистора

12

Вывод для подачи питающего напряжения (+Un)

13

Вывод внешней блокировки и выбора режима работы (однотактный/двухтактный)

14

Выход опорного источника Uref

15

Инвертирующий вход усилителя ошибки 2

16

Неинвертирующий вход усилителя ошибки 2

Параметры

Значения

Минимальное напряжение питания

+7В

Максимальное напряжение питания

+40В

Максимальный потребляемый ток

ЮмА

Типовое значение выходного напряжения опорного источника

+5.0В

Нестабильность опорного напряжения

0,05В

Максимальная частота внутреннего генератора пилообразного напряжения

ЗООкГц

Максимальный ток, коммутируемый выходными транзисторами

250мА

Диапазон дифференциального входного сигнала усилителя ошибки DA3

0,3В - (11пит-2В)

Диапазон дифференциального входного сигнала усилителя ошибки DA4

0.3В-ЗВ

Минимальная ширина "мертвой зоны" в выходном сигнале, обеспечиваемая источником DA7 0,1В

около 5% от периода

Рабочий температурный диапазон

0..+70С

УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА

За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов. Наиболее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим советом по электронным приборам США.

По этой системе приборы обозначаются кодом, в котором первая цифра соответствует числу р-n переходов: 1 - диод; 2 - транзистор; 3 - тиристор. За цифрой следуют буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения.

Например:

1 N4148 - полупроводниковый диод с серийным номером 4148; 2N4237 - транзистор с серийным номером 4237.

В Европе (в Германии, Франции, Италии, Венгрии, Польше и др.) кроме JEDEC широко используется система, по которой обозначения полупроводниковым приборам присваиваются организацией Association International Pro Electron. По этой системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами, для промышленной и специальной аппаратуры - тремя буквами и двумя цифрами. К основному обозначению может добавляться буква, указывающая на отличие прибора от основного типа по каким-либо параметрам или корпусу.

В системе Pro Electron приняты следующие обозначения:


Первый элемент

Второй элемент

Материал

Условное обозначение

Тип прибора

Условное обозначение

Германий

А

Транзисторы низкочастотные маломощные

С

Кремний

В

Транзисторы низкочастотные мощные

D

Арсен ид галлия

С

Транзисторы высокочастотные маломощные

F

Антимонид индия

D

Приборы на основе эффекта Холла

К

Транзисторы высокочастотные мощные

L

Транзисторы переключающие маломощные

S

Тиристоры

Т

Транзисторы переключающие мощные

и

Диоды выпрямительные мощные

Y

Стабилитроны

Z

Для некоторых типов приборов, таких как стабилитроны, мощные диоды и тиристоры, может применяться дополнительная классификация, согласно которой к основному пятизначному обозначению через дефис или дробь добавляется дополнительный код.

Например, для стабилитронов дополнительный код содержит сведения о номинальном напряжении и его допусках в процентах. Первая буква указывает допуск: А=1%, В=2%, С=5%, D=10%, Е=15%.

После буквы в дополнительном коде следует номинальное напряжение в вольтах. Если это не целое число, то вместо запятой ставится буква V. Например, BZY85-C6V8 - это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 85, напряжением стабилизации 6,8 В и допуском на это напряжение 5%.

По существующей в настоящее время в Японии системе стандартных обозначений (стандарт JIS-C-7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) можно определить класс прибора, его назначение, тип проводимости. Вид полупроводникового материала в этой системе не отражается. Условное обозначение состоит из пяти элементов:

ПЕРВЫЙ элемент:

Класс прибора:Условное обозначение:

диоды1

транзисторы2

тиристоры3

ВТОРОЙ элемент, указывающий на то, что данный прибор является полупроводниковым, обозначается буквой S. ТРЕТИЙ элемент:

Тип прибораУсловное обозначение

транзисторы р-п-р высокочастотныеА

транзисторы р-п-р низкочастотныеВ

транзисторы п-р-п высокочастотныеС

транзисторы п-р-п низкочастотныеD

тиристорыF

выпрямительные диодыR

малосигнальные диодыS

стабилитроныZ

ЧЕТВЕРТЫЙ элемент обозначает регистрационный номер и начинается с числа 11. ПЯТЫЙ элемент отражает усовершенствование (А и В - первая и вторая модификации). После маркировки могут быть дополнительные индексы (N, М, S), отражающие требования специальных стандартов.

Например, 2SC3039 - транзистор, полупроводниковый, п-р-п высокочастотный, с регистрационным номером 3039.

Кроме вышеуказанных систем стандартных обозначений, изготовители приборов широко используют внутрифирменные обозначения. В этом случае за основу буквенного обозначения чаще всего берется принцип сокращенного названия фирмы, коды материала и применения.


Литература

1.Мкртчян Ж.А. Основы построения устройств электропитания ЭВМ. - М.: Радио и связь. 1990. - 207с.

2.Гедзберг Ю.М. Импульсные блоки питания телевизоров и их ремонт. - М.: ДОСААФ СССР. 1989. -89с.

3.Миловзоров В.П., Мусолин А.К. Дискретные стабилизаторы и формирователи напряжения. - М.: Энергоатомиздат. 1986. -246с.

4.Четти П. Проектирование ключевых источников электропитания. - М.: Энергоатомиздат. 1990. -238с.

5.Справочник. Источники электропитания РЭА/Г.С.Найвельт и др.; Под ред. Г.С.Найвельта. - М.: Радио и связь. 1986. - 575с.

6.Грумбина А.Б. Электрические машины и источники питания радиоэлектронных устройств. - М.: Энергоатомиздат. 1990. - 367с.

7.Источники вторичного электропитания / В.А.Головацкий и др.; Под ред. Ю.И.Конева. - М.: Радио и связь. 1990. -277с.

8.Э.М.Ромаш, Ю.И.Дробович и др. Высокочастотные транзисторные преобразователи. - М.:Радио и связь. 1988. -286с.

9.Огт Г. Методы подавления шумов и помех в электронных системах. - М.: Мир. 1979. - 113с.

10.Т.Кенио, С.Нагамори. Двигатели постоянного тока с постоянными магнитами. - М.:Энергоатомиздат, 1989. - 181с.

11.Дж.Карр. Диагностика и ремонт аппаратуры радиосвязи и радиовещания. - М.:Мир, 1991. - 400с.

12.А.А.Бас, В.П.Миловзоров.А.К.Мусолин. Источники вторичного электропитания с бестрансформаторным входом. - М.:Радио и связь. 1987. - 160с.

13.А.Д.Князев, Л.Н.Кечиев, В.В.Петров. Конструирование радиоэлектронной и электронно-вычислительной аппаратуры с учетом электромагнитной совместимости. - М.:Радио и связь.1989. - 224с.

14.А.В.Митрофанов, А.И.Щеголев. Импульсные источники вторичного электропитания в бытовой радиоаппаратуре. - М.:Радио и связь.1985. - 72с.

15.В.А.Колосов. Электропитание стационарной радиоэлектронной аппаратуры. - М.:Радио и связь. 1992. - 160с.



0 ... 26 27 28 29 30