Раздел: Документация

0 ... 23 24 25 26 27 28 29 ... 117

стью скорости вращения компакт-диска. Выделенные сигналы огибающих пиковых значений RF-сигнала и НЧ-оставляющей с выхода схемы Peak/Bottom Hold подаются на дифференциальный усилитель. При сравнении выходного сигнала усилителя, представляющего собой огибающую J с сигналом К, максимальный уровень которого составляет 2/3 от уровня полученного в схеме с большой постоянной времени, формируется сигнал MIRROR. Этот сигнал подается на вывод 22 микросхемы. Временные диаграммы работы схемы формирования сигнала MIRROR представлены на рис. 4.12.

RF 0- О В

Огибающая

пиковых

уровней

Огибающая НЧ составляющей

0 В

MIRR

ulilrLrLJl

"1" MIRR "0" TRACK

Рис. 4.12. Временные диаграммы работы схемы формирования сигнала MIRROR

EFM-компаратор

О назначении EFM-компаратора было сказано в разделе 2.3. Это устройство, предназначенное для восстановления прямоугольных импульсов из RF-сигнала. Высокочастотный сигнал с выхода RF-усилителя через внешний конденсатор (см. рис. 4.8) подается на один из входов EFM-компаратора, который соединен с выводом 1 микросхемы рис. 4.13.

Поскольку имеют место асимметрия сигнала и дефекты CD, опорный уровень для компаратора формирует схема автоматического контроля асимметрии. Компаратор работает как переключатель токов, поэтому ни "высокий", ни "низкий" его уровни не равны напряжениям источников питания (или напряжению источника и "земли" при однополярном питании), и используется обратная связь через КМОП-буфер. Резисторы R8 и R9, конденсаторы С8 и С9 образуют ФНЧ для получения напряжения, равного (Vcc + Dgnd)/2. Осциллограмма выходного сигнала, снимаемого с вывода 27, представлена на рис. 4.14.

---

Auto Asymmetry Control Amp

RF1>-6

X6

I 100k 20k

40k

R8R9

3

40k

Auto Asymmetry Buffer

4>

DGND = 0 В

EFM ComparatorCXA1081M/S

EFM

CXD 1130 CXD113S CXD 1167

Рис. 4.13. EFM-компаратор

ришишинй

Рис. 4.14. Осциллограмма сигнала EFM на выводе 27

Схема формирования сигнала Defect

Схема предназначена для обнаружения дефектов на зеркальной поверхности, т.е. между дорожками записи компакт-диска. Инвертирующий вход усилителя сигнала Defect подключен к выводу 2 (рис. 4.15).

О.ОЗЗмк

RFO(2>

Defect Amp

fo—(&СС2

43-

43-

X

D

CB

Defect Bottom Hold

0,01mk

0J defect

Defect Comparator CXA1081M/S

Рис. 4.15. Схема формирования сигнала Defect

После усиления из высокочастотного сигнала с помощью времячадающих цепей с большой и малой постоянной времени выделяются огибающие сигнала. Цепь

---

с большой постоянной времени удерживает значение сигнала, соответствующее неповрежденному участку зеркальной поверхности диска, предшествовавшему дефекту. Цепь с малой постоянной времени реагирует на дефект, если его продолжительность более 0,1 мс. Сигнал с ее выхода дифференцируется, пройдя внешний конденсатор, и сдвигается в направлении нулевой оси. Оба сигнала сравниваются компаратором, выходной сигнал которого представляет собой сигнал ошибки Defect (рис. 4.16). Дефекту на зеркальной поверхности CD будет соответствовать высокий уровень на выводе 20 микросхемы.

Рис. 4.16. Временные диаграммы работы схемы формирования сигнала Defect: а — RFO; б — Defect Amp; в — опорный уровень (вывод СС1); г) — опорный уровень (вывод СС2); д — сигнал DEFECT

Схема формирования средней точки напряжения питания

Схема используется при применении однополярного источника питания (рис. 4.17). На ее выходе (вывод 14) формируется напряжение, равное половине напряжения источника питания. Максимальный ток не должен превышать 5 мА. В случае применения двухполярного питания вывод 14 подключается к "земле".

В заключении представим структурную схему RF-усилителя CXA1081M/S (рис. 4.18) и цоколевку CXA1081Q (версии М и Q в корпусах SMD) (рис. 4.19). Назначение выводов для CXA1081M/S перечислено в табл. 4.1. RF-усилитель производства SAMSUNG — KA9201D/M имеет аналогичные цоколевку и назначение выводов, поэтому табл. 4.1 является общей для двух микросхем.

К принципу работы отдельных схем, входящих в состав СХА1081, мы еще будем неоднократно возвращаться при рассмотрении сервопроцессора СХА1082, т.к. обычно эти две микросхемы работают в паре. Но это — тема следующего раздела, а сейчас рассмотрим еще несколько более поздних разработок RF-усилителей того же производителя.

д)

CXA1081M/S

Рис. 4.17. Схема формирования средней точки напряжения питания

0 ... 23 24 25 26 27 28 29 ... 117