Раздел: Документация
0 ... 19 20 21 22 23 24 25 ... 60  rvGaAi P-Al,G», »Ai 1ммгмро*«мпмЯ СПОЙ Aly G«t y At ;n-GiAs (подломе*] Р-СПОЙ С АиффунДЧ-РОМтмм Zn n-AIGaAs D-AKJjAt G«Al rvAKJjAi n GiAi (подпохма) S.O, InGtAsP (VlnP (подложка) 1 " 1\p-lnf Iflf (подломка) МГ (пм/юам)  p-GaAi n-G«Ai {подпоим)  . ,0-GaAi \rvAI,G*i »At П G*Al ПОДЛ01«М) OGaAl p-AI,G.i-»A« ivG4A> rvAljiGaj.xA. n-CAi inowmaxa) SiO, n-lnCftAsf nlnP pHnp (они с p»4*J0w) n-lnP y/ InGa rvln&AaP InP VlnP (ПОДПОШи) Рис. 53. Структуры полосковых лазеров: а — полоса SiCy, б — полоса примеси; в — полоса, облученная пучком протонов; г — V-образная канавка; д — TJS-полоса (Transverse Junction Stripe); е — полоса в виде ребра; ж — PCW-полоса (Piano Complex Waveguide); з —CSP-полоса (Chanal Substrate Planar); и — самопроникающая полоса; к — TS-полоса (Terraced Substrate); л — врезанная полоса; м — ВН-полоса (Buried Hetero); н — SBH-no-лоса (Strip Buried Hetero); о—ВС-полоса (Buried Crescent) ского контакта (гегероизоляционную полосу). Еще один способ — создание очень узкого токового канала путем повышения напряженности электрического поля вблизи ребра углубления с V-образным профилем, вытравленного в четвертом снизу слое ((рис. 53, г). Рефракционный волновод имеет распределенный показатель преломления. Это достигается одним из следующих способов: 1) легированием; 2) частичным утолщением слоев; 3) поглощением света, выходящего из активного слоя, другими слоями; 4) размещением волновода в веществе с более низким, чем у него, показателем преломления. Вторым из перечисленных способов создается так называемая эффективная разность показателей преломления. Одна из реализаций первого способа — диффузия цинка с поверхности в глубь структуры (глубже активного слоя). Помимо неодинакового преломления наличие зоны диффузии (рис. 53, д) приводит к тому, что ток протекает только в другой половине структуры (показано стрелкой). При втором способе выращивают активный слой на подложке с предварительно вытравленным каналом (рис. 53, е) или на такой же подложке делают слой с волнообразным профилем, отводящий излучение, просочившееся из активного слоя (рис. 53,ж). При третьем способе также делают углубление в подложке. Форма первого от подложки слоя, утолщенного полосой посередине, приводит к потерям вышедшего за пределы полосы излучения (рис. 53, з). Поглощение света можно также реализовать, сделав щель в третьем от подложки слое и заполнив ее веществом, из которого выращен слой, находящийся непосредственно на активном (рис. 53, и). Еще один пример — выращивание активного слоя на подложке со склоном (рис. 53, к). Примеры реализации четвертого способа: 1) мета-травлением делают выступ в подложке, а затем выращивают слои структуры (рис. 53, л); 2) протравив канал до четвертого сверху слоя, выращивают в нем слои структуры (рис. 53, м); 3) делают активный слой в виде полоски, скрытой под другим слоем . ,(рис. 53, н); 4) вырастив на подложке активный слой, fe протравливают его так, что под ним образуется IG9 канал с профилем в виде «трехдневной луны», и затем выращивают остальные слои (рис. 53, о). Все описанные выше конструкции полосковых лазеров — это разработки на уровне патентов. Производство их начнется с появлением материалов более высокого качества и упрощением технологии. Что такое полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью?. Лазер — это генератор световых волн. Функционально генератор представляет собой усилитель и систему положительной обратной связи. Системы обратной связи бывают дискретными — в виде расположенного вне лазерной среды оптического резонатора, состоящего в большинстве случаев из зеркал (в полупроводниковом лазере — это плоскости спайности), и распределенными — в виде структуры, где отражение создается периодическим изменением показателя преломления вдоль пути света. Полупроводниковые лазеры с такой системой — это и есть полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью. Структура с распределенной обратной связью показана иа рис. 54, а. Это волновод с выступами и впадинами в виде дифракционной решетки. Чтобы ее период удовлетворял условиям Брэгга, должно вы- а) Излучение £э77. п ВолнобоЗ . А  Излучение <3 Рис. 54. Лазерная генерация в волноводе с периодической структурой 0 ... 19 20 21 22 23 24 25 ... 60
|
