8(495)909-90-01
8(964)644-46-00
pro@sio.su
Главная
Системы видеонаблюдения
Охранная сигнализация
Пожарная сигнализация
Система пожаротушения
Система контроля удаленного доступа
Оповещение и эвакуация
Контроль периметра
Система домофонии
Парковочные системы
Проектирование слаботочных сетей
Аварийный
контроль
Раздел: Документация

0 ... 81 82 83 84 85 86 87 ... 114

Защита от высоковольтных всплесков

Как уже отмечалось, в сети возможны также и высоковольтные всплески, защиту от которых могут обеспечить только высоковольтные разрядники, включаемые на входе подавителей (фильтров) параллельно линии. Разрядники по месту включения предшествуют всем другим видам защиты и являются элементами первичной защиты. Естественным требованием, непосредственно возникающим при этом, есть согласование уровней защиты, т.е. для каждого уровня помехи включается своя защита (рис. 3.1). В табл. 3.6 приведены характеристики двухэлектродных разрядников фирмы EPCOS.

1

А.С. вых.

1

и,в

600 500 400 300 200 100

и, в

600 500 400 300 200 100

10 20 30 40 t, ,мкс12

РазрядникВаристор

Рис. 3.1.

12 t, мкс

Ограничитель

12 t мкс

Дроссель

Схема подавителя высокочастотных импульсов и эпюры, поясняющие действие элементов подавления

Таблица 3.6.

Характеристики разрядников фирмы EPCOS

Параметр

Серия А71

Серия ЕС

Серия N80

А71-Н08Х

А71-Н10Х

А71-Н14Х

А71-16Х

ЕС 350Х

ЕС 600Х

N80-А350Х

N80-А600Х

Напряжение пробоя постоянное. В

800 ±15%

1000 ±15%

1400 ±15%

1600 ±15%

350 ±15%

600 ±15%

350 ±20%

600 ±20%

Напряжение пробоя импульсное 100 В/шс типичное/99 %, не более В

1000 /1100

1200 /1300

2000 /2100

2200 /2300

700/800

1000 /1200

650 /700

950 /1100

Напряжение пробоя импульсное 1 кВ/мкс типичное/99 %. не более. В

1100 /1200

1300 /1400

2100 /2200

2300 /2400

800/900

1100 /1300

800/900

1100 /1400

Импульсный разрядный ток 8/20 мкс, кА

10

2,5

5

10

Единичный разрядный ток В/20 мкс. кА

10

2.5

10

12

Разрядный ток 50 Гц 1с, А

10

2.5

5

10

Разрядный ток 50 Гц 9 цикл, А

65

2.5

20

65

Сопротивление изоляции, ГОм

10

Емкость, не более, лФ

1

Диапазон рабочих температур, °С

-40...+90


Подавление высокочастотных помех

Для подавления высокочастотных помех с дискретным спектром, имеющих место в источниках питания импульсного типа, в преобразователях частоты, источниках бесперебойного питания характерно применение специальных конденсаторов, так называемых Х- и Y-конденсаторов.

Наличие емкостного характера входного и выходного полных сопротивлений является обязательным условием для фильтров. При выполнении этого условия вход и выход фильтра начинаются с конденсатора. Такой подход ослабляет влияние подводящих линий или нагрузки на уровень действующих помех. Конденсаторы, обозначаемые на схеме С, (рис. 3.2) эффективны для подавления синфазных помех, подключаются между сетевыми проводами, рассчитываются на рабочее напряжение порядка 1,2 кВ. Конденсаторы CY, подключаемые между сетевыми проводами, средняя точка которых соединяется с корпусом устройства, эффективны для подавления дифференциальной помехи. Они обладают ограниченной емкостью и повышенной

□Zcэлектрической и механической на-

~]~ адежностью. Ограничение емкости

ас. 1ас.обеспечивает малое значение тока,

вход

Xе*выход . ипроходящего через конденсатор при

LCпеременном напряжении, и умень-

5- *шает заряд на конденсаторе до уров-

ня, который не опасен при постоян-Рис. 3.2. Принципиальная схема ВЧ-фильтра ном напряжении.

Подавление электромагнитных помех

Эффективным средством подавления электромагнитных помех (RFI/EMI) также являются индуктивные фильтры. Для улучшения массогабарит-ных характеристик высокочастотные дроссели фильтров выполняют на сердечниках из термостабильных высокочастотных марок ферритовых материалов.

К ним можно отнести никель-цинковые ферриты марок 20ВН, ЗОВН, 50ВН, характеризуемые высокой добротностью на частотах до 150 МГц, малыми значениями постоянной гистерезиса и относительного коэффициента магнитной проницаемости при длительном воздействии повышенных температур и при длительном хранении при относительной влажности до 85% [30].

Применение же более низкочастотных материалов снижает эффективность фильтра из-за уменьшения магнитной проницаемости, а также ухудшения добротности подавляющего контура. В табл. 3.7 приводятся основные параметры магнитомягких ферритов (ОСТ 11 707.015-77), а в табл. 3.8 - соответствующие аналоги, выпускаемые зарубежными фирмами. В табл. 3.7 используются нижеследующие параметры

Начальная магнитная проницаемость - значение магнитной проницаемости на начальной или основной кривой намагничивания по индукции при стремлении напряженности магнитного поля к нулю, деленную на магнитную постоянную (ГОСТ 19693-74).

Критическая частота - это частота, при которой резко увеличивается tg d. Чем выше начальная магнитная проницаемость вещества, тем меньше граничная частота.

Тангенс угла магнитных потерь (tgd)- отношение мнимой части к действующей части комплексной магнитной проницаемости. При повышении частоты f и напряженности магнитного поля Н„„ начиная с некоторых значений, коэффициенты потерь возрастают.


Петля магнитного гистерезиса по индукции - есть замкнутая кривая, выражающая зависимость материала от амплитуды напряженности магнитного поля при периодическом достаточно медленном изменении напряженности поля (ГОСТ 19693-74).

Остаточная индукция В, -индукция, которая остается в материале после снятия внешнего магнитного поля.

Коэрцитивная сила по индукции Нс - величина, равная напряженности магнитного поля, необходимого для изменения индукции от В, до нуля.

Удельное электрическое сопротивление - величина, скалярная для изотропного вещества и векторная для анизотропного, равная отношению модуля напряженности электрического поля к модулю плотности тока, размерность ОмхСм.

Таблица 3.7.

Основные параметры магнитомягких ферритов

Марка

Начальная магнитная

проницаемость

при 20°С

Критическая частота, МГц, при tg Б

Параметры петли гистерезиса

Удельное электрическое сопротивление, ОмхСм

Максимальная рабочая температура, °С

Новая

Старая

0,1

0,02

Стаж

Нщ»

А/м при

Мл,»

В,Тл, при

№=800 А/м

в„

Тл

Не,

А/м

20ВН .

20ВЧ2

16...24

120

65

45

2000

0,2

0,1

1000

10е

125

30ВН

30ВЧ2

25...35

200

110

90

1600

0,26

0,07

520

107

125

50BH

50ВЧ2

4S...65

70

40

170

800

0,3

0,2

360

10"

125

Таблица 3.8.

Материалы из феррита отечественного производства и их зарубежные аналоги

Марка феррита отечественного производства

Марки ферритовых материалов зарубежных фирм

20ВН, 30SH

K7A, K8, К12, Q3, V17, 68

50SH

Н7В, К1, М11



0 ... 81 82 83 84 85 86 87 ... 114