Раздел: Документация

0 ... 4 5 6 7 8 9 10 ... 114

Рис. 1.11. Принципиальная схема полумостового преобразователя LC-200

D14 1N4148

Т2

"И"

R25 39

С13 1.0 50 В

R27 ЗЗОк

R28

2~2

Q5 2SC3039

D15

N4148

cz>

R26 39

-ЕЕ}

R29

ЗЗОк

A D16 FR155

+II С14 1.0 50 В

2.20.6

2SC3039

-0

Т4

С15 1.0 250 В

Д D17 FR155

+Епит/2

С16 2.0 1 кВ

R32 100

-0-Е™

Рис. 1.12. Принципиальная схема полумостового преобраз ова теля

fEra«/2

ТЗ

В состав почти всех приведенных схем входят диоды, включенные встречно по отношению к току, протекающему через транзисторы. Этим исключается нежелательное явление «сквозных» токов при переключениях. В транзисторе NT405F диоды размещены внутри корпуса. Основные характеристики транзисторов, применяемых в типовых преобразователях, и их возможные аналоги приведены в табл. 1.16.

Таблица 1.16.

Основные характеристики ключевых транзисторов преобразователя

Транзистор	Тип	I к макс * A	U кэ макс г В	U кб макс > В	Р«,Вт	h 2i*	F„,,Mru	Корпус
MJE13007	Si-N	8	400		2	8..60	4	TO-220AB
2SC3306	Si-N	10	400	530	100	>10		TO-247
NT405F	Si-N
2SC3039	Si-N	7	400	500	1,7	15...50	20	TO-220
2SC4242	Si-N	7	400	450	60	>10	16	TO-220AB
2SC4020	Si-N	3	800	900	50	>10	6	TO-220
BU807		8		400	60	375	35	TO-220AB
MJEI8008	Si-N	8	450	450	125	16...36	12	TO-220
2SC2200	Si-N	7	400	500	40	>10		TO-66
2SC2810	Si-N	7	400	500	50	>10	18	TO-220
2SC3842	Si-N	10	400	600	70	10...40	32	TO-247S
2SC3844	Si-N	15	450	600	75	10...30	30	TO-247S
2SC3890	Si-N	7	400	500	30	>10	10	TO-220
2SC4052	Si-N	3	450	600	25	>10	20	TO-225
2SC4161	Si-N	7	400	500	30	15...50	20	TO-220
2SC4977		7		450	40	10		TO-220ML
2SC5249		3		600	35		6	TO-220

---

ШИМ-контроллер

Элементная база

На вход ключевых транзисторов полумостового преобразователя поступают модулированные по длительности последовательности входных импульсов. Эти сигналы формируются ШИМ-контроллером, выполненном на интегральной микросхеме TL494 [9, 10, 15... 18]. Микросхема содержит: два усилителя ошибки, RC-генератор, компаратор «паузы», тактируемый триггер, источник опорного напряжения +5 В, цепи управления выходным каскадом, выходной каскад.

Структурная схема микросхемы (рис. 1.13) аналогична ИМС МВ3759 (FUJITSU), КА7500В (SAMSUNG), TL494 (MOTOROLA). Могут использоваться и другие микросхемы близкие по параметрам. Некоторые характерные отличия параметров микросхем различных производителей, составленные на основании соответствующих PDF-файлов [15... 18], представлены в табл. 1.17, а в табл. 1.18 приведено назначение выводов микросхемы.

Таблица 1.17.

Сравнение параметров микросхем TL494 и ее аналогов, различных производителей

Микросхема	Диапазон рабочих температур, •с	Типовое значение тока коротко-замкнутой цепи источника опорного напряжения	Рабочий диапазон частот колебаний RC-генератора, кГц	Полоса пропускания усилителей ошибки, кГц	Коэффициент подавления синфазного сигнала усилителем ошибки, дБ	Ток коллекторов выходного каскада, мА	Типовое значение тока потребления в дежурном режиме при питании, мА/В
TL494I(TI)	-40...+85	25	1...300	800	80	200	9/40
TL494IN(M)	-20...+85	35	1...200	350	90	200	7,0/40
КА7500В	0...+70	35	1...300	650		250	6/15
МВ3759	-20...+85	40	1...300	800	80	250	7

Tl - TEXAS INSTRUMENTS М - MOTOROLA

Таблица 1.18. Назначение выводов TL494

Номер вывода	Назначение
1	Неинвертирующий вход усилителя ошибки 1
2	Инвертирующий вход усилителя ошибки 1
3	Вход обратной связи ШИМ-компаратора
4	Вход управления «паузой»
5	Вход подключения конденсатора RC-генератора
6	Вход подключения резистора RC-генератора
7	Корпус
8	Вывод коллектора выходного транзистора 1
9	Вывод эмиттера выходного транзистора 1
10	Вывод эмиттера выходного транзистора 2
11	Вывод коллектора выходного транзистора 2
12	Напряжение питания микросхемы
13	Вход управления выходными каскадами
14	Выход источника опорного напряжения
15	Инвертирующий вход усилителя ошибки 2
16	Неинвертирующий вход усилителя ошибки 2 •

---

3147

Рис. 1.13. Структурная схема микросхемы TL494

Принцип действия

Микросхема TL494 начинает функционировать при подаче напряжения питания на вывод 12. Если рабочий диапазон питающих напряжений на этом выводе находится в пределах 7...40 В, то запускаются встроенный генератор и источник эталонного напряжения.

f-.Гц 500к

ЮОк

10к

1.0к 500

С

ч

: с

эп

St

= о.ос

1мк

С

0,(

)1м

к J

Г

,

1

мк

1,0к 2,0к 5,0к 10к 20к 50кЮОк 200к500к 1,0 М RT. Ом

Рис. 1.14. Частота генератора, как функция времязадающего резистора fr - F(Rr Ст)

0 ... 4 5 6 7 8 9 10 ... 114