Раздел: Документация
0 ... 7 8 9 10 11 12 13 ... 114 ткб Q3 PM-230W Особенность реализации ШИМ-формирователя PM-230W рис. 1.23 (а также конструктив АТХ рис. 1.22) заключается в том, что на усилитель ошибки подается сумма двух напряжений +5 В и +12 В, сумматор образован резисторами R42, R43, R44. Опорные напряжения формируются: для усилителя ошибки 1 (вывод 2) резисторами R21, R22, для усилителя 2 (вывод 15) используется эталонное напряжение. Элементы цепи медленного пуска размешены на отдельной плате, показанной на схеме пунктиром. 23. ШИМ-преобразователь PM-230W  * к б. Q4 «Медленный пуск» преобразователя В момент включения источника питания конденсаторы фильтров разряжены, сигналы обратных связей отсутствуют. Источник питания фактически работает на короткозамкнутую нагрузку. Действие обратной связи приводит к тому, что мощность на коллекторных переходах может превысить допустимую. Поэтому для обеспечения постепенного «вхождения» преобразователя в режим нормальной стабилизации, необходимо ограничивать ток транзисторов в момент пуска. Для этого реализован режим «медленного пуска». Режим реализован последовательным соединением резистора и конденсатора рис. 1.24. Один из элементов цепи, как правило конденсатор, подключен к источнику эталонного напряжения микросхемы (вывод 14), средняя точка цепи подключена ко входу «пауза». После включения в сеть и запуска преобразователя формируется напряжение питания микросхемы, как правило, +25 В. Из этого напряжения микросхемой формируется эталонное напряжение +5 В, являющееся источником +и пит р 16 15 14 13 12 11 10 TL494 12 3 4 5 6 7 1 JCt ,i  Рис. 1.24. Схема «медленного» пускарИс. 1.25. Временные диаграммы микросхемы«медленного» пуска для цепи «медленного запуска». В этот момент (включения) по цепи протекает зарядный ток, ко входу управления «паузой» прикладывается максимальное падение напряжения на резисторе R, что соответствует появлению на выходах микросхемы (выводы 8, 11) импульсов малой длительности. По мере заряда конденсатора С напряжение на выводе 4 уменьшается, длительность управляющих импульсов увеличивается, растет напряжение на выходе источника и соответственно проис-дит заряд конденсаторов фильтров. С ростом напряжения на выходе увеличивается напряжение обратной связи и ШИМ-формирователь переходит в режим стабилизации. Этот процесс иллюстрирует временные диаграммы на рис. 1.25. Вспомогательный преобразователь Вспомогательный преобразователь является конструктивной особенностью источников питания формата АТХ. Данный преобразователь формирует напряжение +5B SB в выключенном состоянии системного модуля. Устройство представляет собой блокинг-генератор, ФУНКЦИОНИРУ-  ЕМ+Ек Рис. 1.26. Принципиальная схема автоколебательного блокинг-генератора  Рис. 1.27. Временные диаграммы работы ющий в автоколебательном режиме в течение всего времени замкнутого состояния сетевого выключателя блока питания. Упрощенная схема автоколебательного блокинг-генератора для обратнохо-дового преобразователя приведена на рис. 1.26 [3]. Основными элементами блокинг-генератора являются транзистор Q и трансформатор Т1. Цепь положительной обратной связи образована вторичной обмоткой трансформатора, конденсатором С и резистором R, ограничивающим ток базы. Резистор R6 создает контур разряда конденсатора на этапе закрытого состояния транзистора. Диод D исключает прохождение в нагрузку RH импульса напряжения отрицательной полярности, возникающего при запирании транзистора. Ветвь, состоящая из диода D1, резистора R1 и конденсатора С1, выполняет функцию защиты транзистора от перенапряжения в коллекторной цепи. Работа схемы автоколебательного блокинг-генератора поясняется временными диаграммами рис. 1.27.а...д. При включении питания конденсатор С разряжен (Uc = 0, момент t рис. 1.27.а), через транзистор протекает небольшой ток базы, приводящий к заряду конденсатора С. Наличие положительной обратной связи, образующейся соответствующим включением базовой обмотки трансформатора Т1, приводит к лавинообразному процессу увеличения ба- зового и коллекторного токов транзистора Q. Процесс продолжается так до тех пор, пока транзистор не перейдет в процесс насыщения (момент t2, рис. 1.27.а). В режиме насыщения происходит уменьшение базового тока i6 и рост тока намагничивания iM (рис. 1.27.г), вызванного намагничиванием сердечника трансформатора Т1. В некоторый момент времени t3 (рис. 1.27.г) базовый ток уменьшается настолько, что транзистор выходит из режима насыщения и его коллекторный ток iK уменьшается. Действие обратной связи приводит к запиранию транзистора Q. В период закрытого состояния происходит разряд конденсятора С и рассеивание энергии, накопленной в магнитном поле трансформатора Tl. В закрытом состоянии транзистора Q коллекторная обмотка импульсного трансформатора отключена от источника питания, а его нагрузочная обмотка отключена от сопротивления RH диодом D. Диод D1 относительно напряжения коллекторной обмотки транзистора О включен в прямом направлении. При этом считается, что ток намагничивания переводится из цепи коллектора в демпфирующую цепь Dl, Rl, С1, где и происходит рассеивание энергии накопленной трансформатором Т1. В тот момент, когда при разряде конденсатора напряжение и6э станет равным нулю, транзистор Q открывается и начинается формирование следующего импульса. Схема типового преобразователя автогенераторного типа показана на рис. 1.28. Во всех схемах преобразователей ключевой транзистор работает в режиме с большими коммутационными перегрузками по току коллектора, поэтому в автогенераторе используется мощный транзистор. Характеристики транзисторов приведены в табл. 1.19. Для увеличения длительности «паузы» ключевого транзистора в автоколебательном режиме используется дополнительный источник отрицательного смещения. Ограничение выбросов управляющего сигнала осуществляется стабилитроном ZD2, включееным в цепь базы ключевого транзистора Q3. В цепи демпфирования допустимо использование RC-цепи, включенной в коллекторную цепь транзистора, в некоторых случаях демпфирующая RC-цепь устанавливается и в цепи базы ключа. 0- R6 150 ZD2 5В • R7 1к R1 к СЮ -г-2н 1к8 I °2 A Z =т= т C12 1 50В 03 C3457 D7 -Б* R12 к Т6 C13 D8 C14 : 1000 25B D9 :С24 22 1 16B к став 5В I В19 680 к ШИМ пр о Рис. 1.28. Схема вспомогательного преобразователя блока питания DTK Таблица 1.19. Основные характеристики транзисторов вспомогательного преобразователя
0 ... 7 8 9 10 11 12 13 ... 114
|
