Раздел: Документация
0 ... 84 85 86 87 88 89 90 ... 105 Серия Х9С103 (Xicor) - это КМОП потенциометры с долговременной памятью (рис. 7.7). К ним относятся несколько устройств: Х9С103 (RS299-480), Х9С503 (RS299-496) и Х9С104 (RS299-503), которые имеют максимальное сопротивление 10, 50 и 100 кОм соответственно. Шаг изменения сопротивления равен максимальному сопротивлению, деленному на 99. Напряжение источника питания +5 В, потребляемый ток 1 мА в режиме регулировки и 0,5 мА в режиме ожидания. Серия Х9С содержит входную секцию управления, счетчик, декодирующую секцию, энергонезависимую память и резисторную матрицу, состоящую из 99 резисторов. Между любыми двумя резисторами на обоих концах матрицы расположены точки отвода, причем каждая точка связана с выводом регулировочного контакта (VW) через транзисторный ключ. Два конца резисторной матрицы VH и VL эквивалентны фиксированным контактам механического потенциометра и могут соединяться с напряжением от -5 до +5 В. VW - это регулировочный контакт, который представляет собой аналог подвижного контакта механического потенциометра. Положением регулировочного контакта управляют три входа: CS (выбор микросхемы), V/D (вверх/вниз) и INC (увеличение). Вход V/D (1 = вверх, 0 = вниз) управляет увеличением или уменьшением значения счетчика. При подаче на вход INC отрицательного фронта положение регулировочного контакта изменяется на один шаг вверх или вниз. Подача на вход СЗ сигнала низкого уровня разрешает   7-разрядный ре&ерси&нйй счетчик 7-розрядноя энергонеза&исимоя Упробляющоя логико в о £ 5.Е о 8 з )vh  Рис. 7.7. Назначение выводов и внутренняя блок-схема потенциометра серии Х9С 7.2. ЦИФРОВЫЕ ПОТЕНЦИОМЕТРЫ [263] доступ к микросхеме. Значение счетчика сохраняется во встроенной энергонезависимой памяти, если сигнал высокого уровня поступит на входы CS и INC. После этого микросхема переходит в режим ожидания с малым потреблением мощности, пока на вход CS снова не будет подан сигнал низкого уровня. Схема подключения потенциометра к экспериментальной плате параллельного порта приведена на рис. 7.8. Входы INC, V/D и CS соединены с контактами Dl, D2 и D3 на экспериментальной плате. Значение сопротивления между VL и VW измеряется с помощью омметра.  плоте пороллельноео порто Рис. 7.8. Схема подключения потенциометра Х9С103 к экспериментальной плате параллельного порта Текст программы X9C104.PAS Program Х9С104, («Программа управления цифровым потенциометром Х9СЮ4 •) («Соединение с экспериментальной платой параллельного порта: INC (увеличение) D1 V/D (вверх/вниз): D2 CS (выбор микросхемы) D3.*) uses crt.dos; {$1 c:\ioexp\tplibl.pas} var up down,step:byte; Procedure INC R(step,up down:byte); («Увеличение или уменьшение сопротивления между VL и VW на величину step.*) («Направление задается переменной up down.«) var i:byte; begin for i:=1 to step do begin write data port(P address,1+2*(up down)+0); (*С1оск=1. *) delay(lOO); wnte data port(P address,0+2*(up down)+0), (*Clock=0 *) delay(100); wnte data port(P address,1+2*(up down)+0), (*Clock=1.♦) delay(100); write data port(P address,1+2*(up down)+4); («Запоминание положения.*) end; Procedure test; begin write( Increase [1] or decrease [0] resistance between VL and VW:); readln(up down); write(Input steps (1 to 100):); readln(step); INC R(step,up down), end; («Главная программа.*) begin centronic address, repeat cerscr, test; readln; until keypressed; end. 7.3. Модули памяти Модули памяти используются для хранения цифровых данных. RAM - это модули памяти со случайным доступом, позволяющие в любой момент считать или записать данные; если источник питания выключается, данные теряются. ROM -модули памяти только для чтения, перед применением в них необходимо записать информацию. В модули PROM записать информацию можно только один раз, в то время как в стираемые модули EPROM это разрешается делать многократно. Память EPROM по способу стирания информации бывает двух типов: стираемая ультрафиолетовым светом (UVEPROM) и электрически (EEPROM). Модули могут иметь параллельный или последовательный интерфейс ввода/вывода. Параллельный интерфейс состоит из восьми двунаправленных линий данных, нескольких линий адреса и линий управления. Для последовательного интерфейса требуются только три линии управления и одна выходная линия. Кристаллы с шиной PC имеют две линии ввода/вывода. Модули памяти с шиной MicroLAN (Dallas Touch Memories) используют лишь одну линию. 7.3.1. Модуль EEPROM объемом 2 Кб с последовательным вводом/выводом ST93C56C Микросхема ST93C56C (SGS-Thomson) - это долговременная КМОП EEPROM объемом 2048 бит с последовательным вводом/выводом (рис. 7.9). Ее память может быть организована двумя способами: 128 слов по 16 разрядов или 256 слов по 8 разрядов в каждом. Любая ячейка памяти стирается и записывается до 1 млн раз. Vcc (контакт 8) и Vss (контакт 5) соединены с положительным и отрицательным проводами источника питания +5 В. Номинальный ток потребления 2 мА в активном режиме и 50 мкА в режиме ожидания. Контакт 1 - это вход выбора микросхемы, контакт 3 - вход данных, а контакт 2 - вход тактового сигнала. Существует семь команд для управления операциями чтения/записи: 0 ... 84 85 86 87 88 89 90 ... 105
|
