Раздел: Документация
0 ... 3 4 5 6 7 8 9 ... 30  схема управления (TL494CN) Рис. 15. Схема запуска с самовозбуждением ИБП LPS-02-150XT. (очень быстро) и приводит к полному открыванию Q1 и запиранию Q2. Через открытый Q1 и первичную обмотку 1-2 силового импульсного трансформатора Т2 начинает протекать линейно нарастающий ток, что вызывает появление импульса ЭДС взаимоиндукции на всех обмотках 12. Импульс с обмотки 7-5 12 заряжает накопительную емкость С22. На С22 появляется напряжение, которое подается в качестве питающего на вывод 12 управляющей микросхемы IC1 типа TL494 и на согласующий каскад. Микросхема запускается и генерирует на своих выводах 11,8 прямоугольные последовательности импульсов, которыми через согласующий каскад (Q3, Q4, Т1) начинают переключаться силовые ключи Q1, Q2. На всех обмотках силового трансформатора 12 появляются импульсные ЭДС номинального уровня. При этом ЭДС с обмоток 3-5 и 7-5 постоянно подпитывают С22, поддерживая на нем неизменный уровень напряжения (около +27В). Другими словами, микросхема по кольцу обратной связи начинает запи-тывать сама себя (самоподпитка). Блок выходит на рабочий режим. Напряжение питания микросхемы и согласующего каскада является вспомогательным, действует только внутри блока и обычно называется Upom. Эта схема может иметь некоторые разновидности, как например в ИБП LPS-02-150XT (производство Тайвань) для компьютера Мазовия СМ1914 (рис.15). В этой схеме начальный толчок для развития процесса запуска получается с помощью отдельного однополупериодного выпрямителя D1, С7, который запитывает в первый положительный полупериод сети базовый для силовых ключей резистивный делитель. Это ускоряет процесс запуска, т.к. первоначальное отпирание одного из ключей происходит параллельно с зарядкой сглаживающих конденсаторов большой емкости. В остальном схема работает аналогично рассмотренной выше. Такая схема используется, например, в ИБП PS-200B фирмы LING YIN GROUP (Тайвань). Первичная обмотка специального пускового трансформатора Т1 включается на половинное напряжение сети (при номинале 220В) либо на полное (при номинале 110В). Это делается из тех соображений, чтобы амплитуда переменного напряжения на вторичной обмотке Т1 не зависела бы от номинала питающей сети. Через первичную обмотку Т1 при включении ИБП в сеть протекает переменный ток. На вторичной обмотке 3-4 Т1 поэтому наводится переменная синусоидальная ЭДС с частотой питающей сети. Ток, протекающий под воздействием этой ЭДС, выпрямляется специальной мостовой схемой на диодах D3-D6 и сглаживается конденсатором С26. На С26 выделяется постоянное напряжение около 10-11 В, которое подается в качестве питающего на вывод 12 управляющей микросхемы U1 типа TL494 и на согласующий каскад. Параллельно с этим процессом происходит заряд конденсаторов сглаживающего фильтра. Поэтому к моменту подачи питания на микросхему силовой каскад также оказывается запитанным. Микросхема запускается и начинает генерировать на своих выводах 8, 11 последовательности прямоугольных импульсов, которыми через согласующий каскад начинают переключаться силовые ключи. В результате появляются выходные напряжения блока. После выхода на режим самоподпитка микросхемы производится с шины выходного напряжения +12В через развязывающий диод D8. Так как это напряжение самоподпитки немного превышает выходное напряжение выпрямителя D3-D5, то диоды этого пускового выпрямителя запираются, и он в дальнейшем не влияет на работу схемы. Необходимость обратной связи через диод D8 не является обязательной. В схемах некоторых ИБП, где применяется принудительное возбуждение, такая связь отсутствует. Управляющая микросхема и согласующий каскад в течение всего времени работы запитываются с выхода пускового выпрямителя. Однако уровень пульсации на шине Upom в этом случае получается несколько большим, чем в случае питания микросхемы с шины выходного напряжения +12В. Подводя итог описания схем запуска, можно отметить основные особенности их построения. В шина Uep=+310V  схема управления (TL494CN) 11 Рис. 16. Схема запуска с принудительным возбуждением ИБП PS-200B (LING YIN GROUP). схеме с самовозбуждением производится первоначальное переключение силовых транзисторов, результатом чего является появление напряжения питания микросхемы Upom. В схеме с принудительным возбуждением сначала получают вых транзисторов. Кроме того, в схемах с самовозбуждением напряжение Upom обычно имеет уровень около +26В, а в схемах с принудительным возбуждением - около +12В. Схема с принудительным возбуждением (с от- Upom, а уже как результат - переключение сило- дельным трансформатором) приведена на рис.16. СОГЛАСУЮЩИЙ КАСКАД Для согласования и развязки мощного выходного каскада от маломощных цепей управления служит согласующий каскад. Практические схемы построения согласующего каскада в различных ИБП можно разделить на два основных варианта: •транзисторный вариант, где в качестве ключей используются внешние транзисторы в дискретном исполнении; •бестранзисторный вариант, где в качестве ключей используются выходные транзисторы самой управляющей микросхемы VT1, VT2 (в интегральном исполнении). Кроме того, еще одним признаком, по которому можно классифицировать согласующие каскады, является способ управления силовыми транзисторами полумостового инвертора. По этому признаку все согласующие каскады можно разделить на: •каскады с общим управлением, где управление обоими силовыми транзисторами производится с помощью одного общего для них управляющего трансформатора, который имеет одну первичную и две вторичные обмотки; •каскады с раздельным управлением, где управление каждым из силовых транзисторов производится с помощью отдельного трансформатора, т.е. в согласующем каскаде имеется два управляющих трансформатора. Исходя из обеих классификаций согласующий каскад может быть выполнен одним из четырех способов: •транзисторный с общим управлением; •транзисторный с раздельным управлением; •бестранзисторный с общим управлением; •бестранзисторный с раздельным управлением. Транзисторные каскады с раздельным управлением применяются редко, либо вообще не применяются. Авторам не довелось столкнуться с таким вариантом исполнения согласующего каскада. Остальные три варианта встречаются более или менее часто. Во всех вариантах связь с силовым каскадом осуществляется трансформаторным способом. При этом трансформатор выполняет две основные функции: усиления управляющего сигнала по току (за счет ослабления по напряжению) и гальванической развязки. Гальваническая развязка необходима потому, что управляющая микросхема и согласующий каскад находятся на вторичной стороне, а силовой каскад - на первичной стороне ИБП. Рассмотрим работу каждого из упомянутых вариантов согласующего каскада на конкретных примерах. В транзисторной схеме с общим управлением в качестве согласующего каскада используется двухтактный трансформаторный предварительный усилитель мощности на транзисторах Q3 и Q4 (рис.17). Оба транзистора включены по схеме с общим эмиттером и работают в ключевом режиме. Кол- шина Upom=+26V 12 VT1 DD5 41 VT2 DD6 IC-1 IR3M02 (TL494) R17 3,9k и -CZ) R48 1,8k R18 R19 1,5k 3,9kQ4 2SC945 D8 1N4148 D10 1N4148 1N4148 Ш R 1,8k  Рис.17. Согласующий каскад ИБП KYP-150W (транзисторная схема с общим управлением). лекторными нагрузками транзисторов являются первичные полуобмотки импульсного управляющего трансформатора DT и резистор общей нагрузки R19, который задает максимальную величину тока через транзисторы (около 20мА). Напряжение питания Upom подается в среднюю точку первичной обмотки через R19 и диод развязки D8. Транзисторы по отношению к питающему напряжению включены параллельно. На базы транзисторов Q3, Q4 поступают последовательности прямоугольных импульсов положительной полярности с отрицательными передними фронтами, сдвинутые по фазе друг относительно друга на половину периода. Из этого следует, что в промежутках между импульсами транзисторы Q3, Q4 открыты, т.к. к их управляющим переходам приложено открывающее напряжение. Под воздействием управляющих импульсов транзисторы поочередно закрываются. На эмиттерах Q3, Q4 поддерживается напряжение примерно равное +1,6В за счет цепочки D10, D11, С13. Это напряжение позволяет осуществлять активное попеременное закрывание обоих транзисторов. Действительно, когда на базе закрываемого транзистора действует выходной импульс микросхемы, то напряжение на базе близко к 0 (около +0.6В). Напряжение же на эмиттере за счет цепочки D10, D11, С13 постоянно поддерживается на уровне +1,6В. Поэтому к управляющему переходу база-эмиттер на время действия выходного импульса микросхемы оказывается приложенным в запирающей полярности напряжение около 1В. Фронты коллекторных импульсов в результате получаются крутыми. Диоды D7, D9 предназначены для гашения паразитных колебательных процессов, которые возникают при запирании транзисторов Q3, Q4, в пара- UKQ3 UKQ4  Рис. 18. Реальная форма импульсов на коллекторах зитном контуре, образованном первичной обмоткой DT и ее распределенной межвитковой емкостью. При этом гашение (демпфирование) происходит по истечении первого полупериода паразитного колебания, когда полярность напряжения на паразитном контуре меняется. Ток демпфирования при запирании транзистора Q4 протекает по цепи: 3 DT - к-э Q3 -D7 - 1 DT. При запирании транзистора Q3 -по цепи: 1 DT- к-э Q4-D9-3 DT. Первый полупериод этих паразитных высокочастотных колебаний выглядит как начальный выброс напряжения на коллекторе транзистора при его запирании (рис.18). Токи через диоды D7 и D9, протекающие под воздействием магнитной энергии, запасенной в сердечнике DT, имеют вид спадающей экспоненты. В сердечнике DT во время протекания токов через диоды D7 и D9 действует изменяющийся (спадающий) магнитный поток, что и обуславливает появление импульсов ЭДС на его вторичных обмотках. Диод D8 устраняет влияние согласующего каскада на управляющую микросхему через общую шину питания. Другая разновидность транзисторного согласующего каскада с общим управлением используется в ИБП ESAN ESP-1003R (рис.19). Первой особенностью этого варианта является то, что выходные транзисторы VT1, VT2 микросхемы включены как эмиттерные повторители. Выходные сигналы снимаются с выводов 9, 10 микросхемы. Резисторы R17, R16 и R15, R14 являются эмиттер-ными нагрузками транзисторов VT1 и VT2 соответственно. Эти же резисторы образуют базовые делители для транзисторов Q3, Q4, которые работают в ключевом режиме. Емкости С13 и С12 являются форсирующими и способствуют ускорению процессов переключения транзисторов Q3, Q4. Второй характерной особенностью этого каскада является то, что первичная обмотка управляющего трансформатора DT не имеет вывода от средней точки и подключена между коллекторами транзисторов Q3, Q4. Когда выходной транзистор VT1 управляющей микросхемы открывается, то оказывается запитан напряжением Upom базовый для транзистора Q3 делитель R17, R16. Поэтому через управляющий переход Q3 протекает ток, и он открывается. Ускорению этого процесса способствует форсирующая емкость С13, которая обеспечивает подачу в базу Q3 отпирающего тока, в 2-2,5 раза превышающего установившееся значение. Результатом открывания Q3 является то, что первичная обмотка 1-2 DT своим выводом 1 оказывается подключена к корпусу. Так как второй транзистор Q4 заперт, то через первичную обмотку DT начинает протекать нарастающий ток по цепи: Upom - R11 - 2-1 DT - к-э Q3 - корпус. На вторичных обмотках 3-4 и 5-6 DT появляются импульсы ЭДС прямоугольной формы. Направление намотки вторичных обмоток DT разное. Поэтому один из силовых транзисторов (на схеме не показано) получит открывающий базовый импульс, а другой - закрывающий. Когда VT1 управ- 0 ... 3 4 5 6 7 8 9 ... 30
|
