Раздел: Документация
0 ... 65 66 67 68 69 70 71 ... 106 разность потенциалов медь - алюминий (около 1,8 В). Попадание влага в место контакта вызывает коррозию алюминия, поэтому применяется гальваническое покрытие основания вентиля. Водяное охлаждение осуществляется присоединением приборов к контуру с водой, например через полую шину. Испарительное охлаждение осуществляется присоединением прибора к контуру, где жидкость испаряется и потом конденсируется. Ясно, что без охлаждения, если оно предусмотрено конструкцией, полупроводниковый прибор не сможет обеспечить необходимый режим работы и выйдет из строя. Кроме указанных причин отказы полупроводниковых приборов могут быть обусловлены обрывами и перегоранием выводов, наружным пробоем между выводами, растрескиванием кристаллов и другими причинами. Иногда выход из строя прибора можно определить по внешнему виду: если он обгорел, разрушился или обгорели провода. Но не всегда признаки выражены явно, поэтому нужно пользоваться приборами. Рассмотрим проверку некоторых полупроводниковых приборов и других элементов аппаратуры с помощью измерительных приборов. 6.2.1. Проверка полупроводниковых диодов Простейшая проверка исправности полупроводниковых диодов заключается в измерении их прямого Rnp и обратного ROBp сопротивлений постоянному току. Чем меньше прямое сопротивление и больше обратное или, другими словами, чем выше отношение R0BP/Rnp> тем выше качество диода. Для измерения диод подключают к тестеру (омметру) или к ампервольтоммет-ру, как показано на рис. 6.6. При этом выходное напряжение измерительного прибора не должно превышать максимально допустимого для данного элемента. о о Х1 о- Х1000 Ro6p Общ. о- Общ. о- Рис. 6.6. Схема проверки исправности диода: а - измерение прямого сопротивления; б - измерение обратного сопротивления Прямое сопротивление должно быть не больше примерно 200 Ом, а обратное не меньше 500 кОм. Следует иметь в виду, что если прямое сопротивление около нуля, а обратное стремится к бесконечности, то в первом случае имеется пробой, а во втором - обрыв выводов или нарушение структуры. Сопротивление диода переменному току меньше прямого сопротивления и зависит от положения рабочей точки. Исправность высокочастотных диодов можно проверить включением их в схему работающего простейшего детекторного радиоприемника, как показано на рис. 6.7. Нормальная работа радиоприемника говорит об исправности диода, а отсутствие приема - о пробое.  -о-И-o~i I 220к ЮОпФ  Радиоприемник Гнезда звукоснимателя Рис. 6.7. Схема проверки исправности ВЧ диода Универсальные и импульсные диоды - полупроводниковые диоды, имеющие малую длительность переходных процессов включения и выключения и предназначенные для применения в импульсных режимах работы. Стабилитрон - полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики этого диода является почти прямой линией, поэтому при изменении тока, проходящего через прибор, напряжение на нем практически не меняется. Основные параметры стабилитронов: f/6T - напряжение стабилизации, 1 - ток стабилизации (постоянный ток, протекающий через стабилитрон в режиме стабилизации), стшхс -максимально допустимая мощность стабилизации. Варикап - полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании резко выраженной зависимости его емкости от величины приложенного обратного напряжения. Он применяется как элемент с электрически управляемой емкостью. Основные параметры варикапов: Св - емкость, QB - добротность (отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напряжении). 6.2.2. Проверка транзисторов Транзисторами называются полупроводниковые приборы на основе кристалла с двумя р-n переходами и служащие для усиления электрических сигналов. В структуре транзистора возможно количество переходов, отличное от двух. Транзисторы с двумя р-n переходами называются биполярными, так как их работа основана на использовании зарядов обоих знаков. В кристалле полупроводника транзистора созданы три области электропроводности с порядком чередования p-n-р или n-p-п. Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области - эмиттером и коллектором. Переходы между базой и эмиттером и базой и коллектором называются соответственно эмиттерным и коллекторным. Для обозначения выводов, относящихся к базе, эмиттеру и коллектору, применяют буквы кириллицы или латиницы Б (В), Э (Е) и К (С) соответственно. На значке схемного обозначения транзистора стрелка указывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу. Чтобы проверить исправность полупроводникового транзистора, не включенного в схему, на отсутствие коротких замыканий, необходимо измерить сопротивления между его электродами. Для этого омметр подключают поочередно к базе и эмиттеру, к базе и коллектору, к эмиттеру и коллектору, меняя полярность подключения. Поскольку транзистор состоит из двух переходов, причем каждый из них представляет собой полупроводниковый диод, проверить транзистор можно таким же образом, как и диод. Чтобы убедиться в исправности данного элемента, омметр подключают к соответствующим выводам транзистора (на рис. 6.8 показано, как измеряют прямое и обратное сопротивление каждого из переходов). У исправного транзистора прямые сопротивления переходов составляют 30-50 Ом, а обратные -0,5-2 МОм. При значительных отклонениях от этих величин транзистор можно считать неисправным. 0 ... 65 66 67 68 69 70 71 ... 106
|
