Раздел: Документация
0 ... 67 68 69 70 71 72 73 ... 106 Первая группа отказов связана со структурными дефектами (дислокациями и микротрещинами) внутри полупроводника. Эти дефекты с течением времени могут развиваться под воздействием температурных и механических влияний и изменять характеристики микросхемы, приводя к отказам. Вторая группа отказов связана с накоплением на поверхности полупроводника диоксида кремния. В объеме, близком к поверхности, накапливаются заряды, изменяющие состояние р-п переходов, и появляются поверхностные каналы. В результате этого происходит увеличение токов утечки, отсутствие насыщения вольт-амперной характеристики перехода коллектор-база, омическое шунтирование эмиттера с коллектором, снижение обратного пробивного напряжения на коллекторе, уменьшение коэффициента усиления по току, омическое шунтирование эмиттера с базой, увеличение шумов. В ИС применяется металлизированная разводка между отдельными элементами с соединением алюминиевых контактных площадок с внешними выводами с помощью золотых проводников, привариваемых к контактным Площадкам и наружным выводам. Отказы связаны с нарушением соединений этих проводников и металлической разводки из-за механических повреждений или малой толщины пленки алюминия. Нарушения соединений могут вызвать перегрев в этих местах, что ведет к коррозии или расплавлению металла. Нарушение электрической цепи и появление отказов может произойти по причине образования диэлектрической пленки на границе раздела алюминия и кремния или образования гидрата оксида алюминия на металлизированной разводке при попадании влага внутрь корпуса ИС. Отказы могут быть также из-за нарушения контакта золотых проводников с контактными площадками микросхемы и внешними выводами корпуса. Внешним проявлением ухудшений состояния ИС является увеличение обратного тока коллекторного перехода за счет появления тока утечки. Надежность ИС можно повысить, улучшив технологию их производства. Вышедшая из строя микросхема, как правило, подлежит замене. Заменять ее нужно на такую же, но можно и на микросхему сходного типа, электрическая схема которой подходит для данного устройства. Нельзя производить необоснованную замену деталей в схеме, содержащей ИС, так как это может вывести ее из строя. 6.2.4. Проверка тиристоров Тиристором называется полупроводниковый прибор на основе четырехслойной структуры р-п-р-п, то есть имеющий три р-п перехода. Напряжения подводятся так, что крайние переходы работают в прямом направлении, а средний - в обратном. Если у прибора сделаны выводы только от крайних областей структуры, то он называется диодным тиристором, или динис-тором. Триодный тиристор, или просто тиристор, имеет дополнительный управляющий вывод от одной из средних структур и включается импульсами тока управления, а выключается или подачей обратного напряжения или прерыванием тока с помощью другого прибора. Другие названия: тринистор и триак. Запираемый тиристор выключается с помощью импульсов тока управления. Симистор (симметричный тиристор) является эквивалентом встречно-параллельного соединения двух тиристоров и способен в открытом состоянии пропускать ток в обоих направлениях. Включение происходит импульсами тока управления. Оптронный тиристор включается с помощью светового сигнала. А К  УЭ   Об - + Рис. 6.10. Проверка тиристора с помощью мегомметра Простейший способ проверки тиристоров представлен на рис. 6.10. Сопротивление исправного тиристора составляет несколько мегаом, а пробитого близко к нулю. Если анод исправного тиристора соединить на несколько секунд с управляющим электродом (УЭ), прибор покажет сопротивление короткого замыкания. 6.2.5. Проверка полевых транзисторов Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. В полевом транзисторе используются заряды одного знака. Для обозначения выводов, относящихся к затвору, стоку и истоку, применяют буквы кириллицы или латиницы 3 (G), С (D) и И (S) соответственно. Из многочисленных параметров полевых транзисторов практическое значение имеют только два: 1СНАЧ - ток стока при нулевом напряжении на затворе и S - крутизна характеристики. Эти параметры можно измерить, используя простую схему, изображенную на рис. 6.11. Для этого потребуется миллиамперметр РА, например из состава мультиметра, батарея GB1 напряжением 9 В («Крона» или составленная из двух батарей 3336Л) и элемент GB2 напряжением 1,5 В (например, элемент АА).  Рис. 6.11. Проверка полевого транзистора Сначала вывод затвора соединяют проволочной перемычкой с выводом истока. При этом миллиамперметр зафиксирует первый параметр транзистора - ток стока 1СНАЧ- Записывают его значение. Затем снимают перемычку и подключают вместо нее элемент GB2. Прибор покажет меньший ток в стоковой цепи. Если теперь разность двух показаний миллиамперметра разделить на напряжение элемента, полученный результат будет соответствовать численному значению параметра S проверяемого полевого транзистора. 0 ... 67 68 69 70 71 72 73 ... 106
|
