Раздел: Документация
0 ... 66 67 68 69 70 71 72 ... 106 Малое сопротивление Большое сопротивление   Рис. 6.8. Проверка транзистора с помощью омметра При проверке ВЧ транзисторов напряжение батареи омметра не должно превышать 1,5 В. Для более точной проверки необходимо использовать специальные приборы. Многие модели современных мультиметров имеют специальные гнезда для подключения транзисторов для проверки их исправности. Наличие такого прибора значительно упростит работу радиолюбителя. При ремонте бытовой радиоаппаратуры часто возникает необходимость проверить исправность полупроводниковых транзисторов без выпаивания из схемы. Один из способов проверки - измерение омметром сопротивления между выводами эмиттера и коллектора при соединении базы с коллектором (рис. 6.9а) и соединении базы с эмиттером (рис. 6.96). При этом источник коллекторного питания отключают от схемы. Если транзистор исправен, в первом случае омметр покажет малое о) б) Рис. 6.9. Схема проверки исправности транзистора сопротивление, во втором - порядка нескольких сотен тысяч или десятков тысяч ом. Однако недостаточно определить только величины сопротивлений переходов, чтобы сделать вывод о работоспособности транзистора. Желательно измерить обратный ток коллектора, обратный ток эмиттера и ориентировочное значение коэффициента усиления по току. Пригодность транзистора определяется сравнением полученных данных с данными, указанными в паспорте транзистора. При измерениях параметров отдельного транзистора можно выявить обрывы электродов и замыкания в транзисторах, но это же можно сделать и при измерениях в схемах с транзисторами. При этом нужно иметь в виду, что используемый прибор должен обладать достаточно большим внутренним сопротивлением. При проведении электрических измерений можно сделать следующие выводы: •при обрыве цепи базы напряжения базы и эмиттера отсутствуют, напряжение коллектора повышено; •при обрыве цепи эмиттера напряжение коллектора повышено, напряжение базы почти нормальное, напряжение на эмиттере приблизительно равно напряжению базы; •при обрыве цепи коллектора напряжения на всех электродах транзистора уменьшаются; •при обрыве базы внутри транзистора напряжение базы близко к нормальному, напряжение эмиттера уменьшается, а напряжение коллектора повышается; •при замыкании эмиттера и коллектора внутри транзистора напряжение базы изменяется незначительно, напряжение эмиттера возрастает, напряжение коллектора падает. Нужно учитывать, что транзистор может работать в режиме насыщения. Этот режим бывает тогда, когда сопротивление нагрузки в цепи коллектора велико и ток коллектора создает на нем падение напряжения, равное напряжению источника питания. В этом случае потенциалы всех электродов транзистора одинаковы. Данный режим используется в импульсных устройствах, а для усилителей опасен. Параметры и характеристики транзисторов зависят от температуры окружающей среды, стабильности нагрузки, условий теп-лоотвода. Все эти факторы изменяют температуру транзистора. При ее повышении возможен выход транзистора из строя и неизбежное изменение параметров схемы. Большую температурную чувствительность транзистора можно объяснить следующим. Электропроводность германия и кремния, из которых выполняют транзисторы, зависит от температуры. При ее увеличении нарушается электрическое равновесие, возрастает эмиттерный и коллекторный ток, что увеличивает мощность, рассеиваемую на коллекторе, и температуру коллектора, вызывая увеличение обратного тока коллектора. При этом может быть равновесие или транзистор выйдет из строя. Это зависит от условий охлаждения, окружающей температуры и величины сопротивления в цепи коллектора, ограничивающего нарастание коллекторного тока. Следует помнить, что при большом сопротивлении в цепи коллектора транзистор входит в режим насыщения и перестает работать как усилитель. Второй момент, увеличивающий чувствительность транзистора к температуре, состоит в том, что прямая проводимость участка эмиттер-база возрастает с повышением температуры. Это явление вызывает увеличение тока эмиттера. Иногда имеет место самопроизвольное изменение параметров транзисторов независимо от изменений окружающей среды. Неисправность транзистора в схеме - явление редкое и может быть вызвано его перегревом при плохом теплоотводе или при пайке или нарушением режимов работы схемы. Перед заменой транзистора нужно детально его проверить, а при выходе из строя проверить другие детали, входящие в схему, от которых зависит его работа. Для замены нужно брать транзистор такого же типа или равноценный. Перед установкой его нужно проверить описанными методами. Расположение выводов следует определять по прилагаемому паспорту или по справочнику. 6.2.3. Отказы интегральных микросхем Отказы ИС могут быть связаны как с физико-химическими процессами внутри полупроводника, так и с теми же процессами на его поверхности и обусловлены состоянием контактных соединений. 0 ... 66 67 68 69 70 71 72 ... 106
|
